У пачатку дваццатага стагоддзя прынцыпы сучаснай навукі і тэхнікі пастаянна выкарыстоўваліся для кіравання працэсам росту крышталя, і рост крышталя пачаў развівацца ад мастацтва да навукі.Асабліва з 1950-х гадоў распрацоўка паўправадніковых матэрыялаў, прадстаўленых монакрышталічным крэмніем, спрыяла развіццю тэорыі і тэхналогіі росту крышталяў.У апошнія гады распрацоўка розных складаных паўправаднікоў і іншых электронных матэрыялаў, оптаэлектронных матэрыялаў, нелінейна-аптычных матэрыялаў, звышправодных матэрыялаў, сегнетоэлектрычных матэрыялаў і металічных монакрышталяў прывяла да шэрагу тэарэтычных праблем.І да тэхналогіі вырошчвання крышталяў прад'яўляюцца ўсё больш складаныя патрабаванні.Даследаванне прынцыпу і тэхналогіі вырошчвання крышталяў набывае ўсё большае значэнне і становіцца важнай галіной сучаснай навукі і тэхнікі.
У цяперашні час рост крышталяў паступова сфармаваў шэраг навуковых тэорый, якія выкарыстоўваюцца для кіравання працэсам росту крышталяў.Аднак гэтая тэарэтычная сістэма яшчэ не дасканалая, і ёсць яшчэ шмат кантэнту, які залежыць ад вопыту.Такім чынам, штучнае вырошчванне крышталяў звычайна лічыцца спалучэннем майстэрства і навукі.
Падрыхтоўка поўных крышталяў патрабуе наступных умоў:
1. Тэмпература рэакцыйнай сістэмы павінна кантралявацца раўнамерна.Каб прадухіліць мясцовае пераахаладжэнне або перагрэў, гэта паўплывае на зараджэнне і рост крышталяў.
2. Працэс крышталізацыі павінен быць як мага павольней, каб прадухіліць самаадвольнае зараджэнне.Паколькі як толькі адбываецца спантаннае зараджэнне, утвараецца шмат дробных часціц, якія перашкаджаюць росту крышталяў.
3. Суаднясіце хуткасць астуджэння з зараджэннем і хуткасцю росту крышталя.Крышталі вырошчваюцца раўнамерна, у крышталях адсутнічае градыент канцэнтрацыі, а склад не адхіляецца ад хімічнай прапарцыянальнасці.
Метады вырошчвання крышталяў можна падзяліць на чатыры катэгорыі ў залежнасці ад тыпу іх бацькоўскай фазы, а менавіта рост з расплаву, рост з раствора, рост з паравой фазы і рост з цвёрдай фазы.Гэтыя чатыры тыпы метадаў вырошчвання крышталяў ператварыліся ў дзесяткі метадаў вырошчвання крышталяў са змяненнем умоў кантролю.
Увогуле, калі раскласці ўвесь працэс росту крышталя, ён павінен уключаць як мінімум наступныя асноўныя працэсы: растварэнне растворанага рэчыва, утварэнне адзінкі росту крышталя, перанос адзінкі росту крышталя ў асяроддзе росту, рост крышталя. элемент на паверхні крышталя і пераход інтэрфейсу росту крышталя, каб рэалізаваць рост крышталя.
Час публікацыі: 07 снежня 2022 г